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單晶硅片類型及特性,n型單晶硅和p型硅片區(qū)別

時(shí)間:2023-01-14來源:www.maisondekeyser.com單晶硅片單晶硅和多晶硅的區(qū)別

單晶硅作為一種比較活潑的非金屬元素晶體,是晶體材料的重要組成部分,處于新材料發(fā)展的前沿。單晶硅材料制造要經(jīng)過如下過程:石英砂-冶金級硅-提純和精煉-沉積多晶硅錠-單晶硅-硅片切割。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱等。

 

類型:P型硅片半導(dǎo)體,N型硅片半導(dǎo)體

 

特性:單晶硅片具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì),有較弱的導(dǎo)電性,其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加;有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅片是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅片中摻入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其導(dǎo)電的程度,而形成P型硅片半導(dǎo)體;如摻入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度,形成N型硅片半導(dǎo)體。


單晶硅片類型及特性,n型單晶硅和p型硅片區(qū)別

 

n型單晶硅和p型硅片區(qū)別

 

P型和N型單晶硅片的區(qū)別主要有以下三點(diǎn):

 

1、導(dǎo)電不同:N型是電子導(dǎo)電,P型是空穴導(dǎo)電。

 

2、摻雜的東西不同:單晶硅中摻磷是N型,單晶硅中摻硼為P型。

 

3、性能不同:N型摻磷越多則自由電子越多,導(dǎo)電能力越強(qiáng),電阻率就越低。P型摻硼越多則能置換硅產(chǎn)生的空穴也越多,導(dǎo)電能力越強(qiáng),電阻率就越低。

 

擴(kuò)展資料

 

1、單晶硅可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造,其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域,在軍事電子設(shè)備中也占有重要地位。

 

2、單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質(zhì)了,一般的半導(dǎo)體器件要求硅的純度六個(gè)9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高,硅的純度必須達(dá)到九個(gè)9。單晶硅是電子計(jì)算機(jī)、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。

 

3、單晶硅太陽電池是當(dāng)前開發(fā)得最快的一種太陽電池,它的構(gòu)成和生產(chǎn)工藝已定型,產(chǎn)品已廣泛用于宇宙空間和地面設(shè)施。這種太陽電池以高純的單晶硅棒為原料,純度要求99.999%。