優(yōu)點(diǎn):

1、在弱光程度下其發(fā)電性能非常好。

2、在光照強(qiáng)度相同的情況下與其他電池相比功率損失少。

3、薄膜太陽能電池?fù)碛蟹浅：玫墓β蕼囟认禂?shù)。

4、光傳輸和發(fā)電量大，且制作時(shí)只需少量硅原料。

5、完全不會出現(xiàn)內(nèi)部短路問題。

6、薄膜太陽能電池體積薄，原材料普遍，且能夠與建材進(jìn)行整合性應(yīng)用。

cigs薄膜太陽能電池的優(yōu)缺點(diǎn)

GIGS薄膜太陽能電池板八大優(yōu)點(diǎn)。具體如下：

(1)生產(chǎn)成本低

由于反應(yīng)溫度低，可在200C左右的溫度下制造，因此可在玻璃、不銹鋼板、鋁箔、陶瓷板、聚合物等基片上淀積薄膜，易于實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，降低成本。

(2)材料用量少

非晶硅光吸收系數(shù)大,硅膜的厚度可極薄。例如，使用單晶硅，要充分吸收太陽光，需要的厚度為180 ~ 200um;而使用非晶硅，只要1μum就已足夠,并且不需像單晶那樣切片,材料的浪費(fèi)極少。

(3)制造工藝簡單，可連續(xù)、大面積、自動化批量生產(chǎn)

采用玻璃基板的非晶硅太陽電池,其主要工序目前普遍采用的是等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積(PECVD)法，生產(chǎn)方式具有自動化程度高、生產(chǎn)效率高的特點(diǎn)。此種制作工藝可以連續(xù)在多個(gè)真空淀積室或多片在一個(gè)沉積室內(nèi)完成，從而實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

(4)制造過程消耗電力少，能量償還時(shí)間短

用PECVD法制備非晶硅，基板溫度僅200~250C，且放電電極所需的放電功率密度較低。與單晶硅在1412C以上反復(fù)多次熔解相比，所消耗的電力少得多。晶體硅太陽電池的能量償還時(shí)間為2-3年，而轉(zhuǎn)換效率為6%的非晶硅太陽電池只要1-1.5年

(5)高溫性能好

當(dāng)太陽能電池工作溫度高于標(biāo)準(zhǔn)測試溫度25C時(shí)，其輸出功率會有所下降。對于晶體硅電池，溫度每升高1C，輸出功率約下降0.5% ;而薄膜電池溫度系數(shù)較低，如非晶硅太陽電池只下降0.25%，因而其輸出功率受溫度的影響比晶體硅太陽電池要小得多。例如，座IMW的單晶硅電池光伏電站,在太陽電池的溫度達(dá)到65℃時(shí).輸出功率只有800kW，而如果來用相同功率的CdTe電池，在同樣溫度下，其輸出功率還有900kW。

(6)弱光響應(yīng)好，充電效率高

由于非晶硅電池在整個(gè)可見光范圍內(nèi)的光譜響應(yīng)范圍寬，在實(shí)際使用中對低光強(qiáng)有較好的適應(yīng)性，而且能夠吸收散射光。與相同功率的晶體硅太陽電池相比，非晶硅電池的發(fā)電量約可增加10%。

(7)不存在內(nèi)部電路短路問題

實(shí)用的集成型薄膜太陽電池已經(jīng)在工藝中實(shí)現(xiàn)了電池互聯(lián)輸出電壓高，避免了晶體硅太陽電池組件互聯(lián)封裝引起的可靠性等問題。

(8)適合與建筑體化( BFV),可以根據(jù)需要制成不同的透光率代替玻璃幕城:地可有成以不銹鋼或聚合物為村底的柔性電池，適合于建筑物曲面屋頂?shù)忍幨褂?還可以做成折疊式電源，方便攜帶，供給小型儀器計(jì)算機(jī)及軍事通信GPS等領(lǐng)域的移動設(shè)備使用。

CIGS薄膜太陽能電池板的主要有以下缺點(diǎn)：

(1)轉(zhuǎn)換效率偏低

特別是規(guī)?；a(chǎn)的非晶硅電池組件，轉(zhuǎn)換效率大約只有晶體硅電池組件的一半 。

(2)相同功率所需要太陽電池的面積增加

與晶體硅相比，使用時(shí)要占用較大的面積，這在安裝空間有限的情況下,將會受到限制,相應(yīng)的BOS系統(tǒng)成本也要增加。

(3)穩(wěn)定性差

由于非晶硅的光致衰減特性，非晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率在強(qiáng)光照后含有輸出逐漸衰退的現(xiàn)象。這在一定程度上影響了這種低成本電池的應(yīng)用。

(4)固定資產(chǎn)投資大

由于制造工藝要用到先進(jìn)的專]加工設(shè)備,對生產(chǎn)環(huán)境的要求比較高，需要較高的投資費(fèi)用。