由于砷化鎵生產(chǎn)方式和傳統(tǒng)的硅晶圓生產(chǎn)方式大不相同，砷化鎵需要采用磊晶技術(shù)制造，這種磊晶圓的直徑通常為4—6英寸，比硅晶圓的12英寸要小得多，磊晶圓需要特殊的機(jī)臺(tái)才行，同時(shí)砷化鎵原材料成本高出硅很多，鎵比較稀缺，砷又是有毒物質(zhì)，所以成本也會(huì)相應(yīng)高昂。

其次，其電池的衰減也是成本高昂的佐因之一。

電池衰減
 

傳統(tǒng)薄膜太陽(yáng)能電池由于工藝原因一般顏色更深，這就意味著其熱效應(yīng)就更嚴(yán)重，根據(jù)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，早期的薄膜太陽(yáng)能電池一般性衰減在10%以上，特別是在使用的頭幾年呈現(xiàn)高速衰減狀態(tài)，最高能達(dá)到20%左右，所以一般廠家會(huì)采用低標(biāo)的辦法去銷(xiāo)售沖減。例如150W標(biāo)稱(chēng)100W進(jìn)行銷(xiāo)售。即使是砷化鎵電池也需要充分降溫，才能保證其發(fā)電效率和減緩熱衰減。

封裝復(fù)雜
 

砷化鎵較硅質(zhì)在物理性質(zhì)上要更脆，這一點(diǎn)使得其加工時(shí)比容易碎裂，所以，通常的做法是把其制成薄膜，并使用襯底（常為Ge［鍺］），來(lái)對(duì)抗其在這一方面的不利，但是也增加了技術(shù)的復(fù)雜度。薄膜電池的工藝決定了它的封裝面板不能使用鋼化玻璃，一般是使用雙層普通玻璃封裝，生產(chǎn)過(guò)程貨損與安裝損壞率相對(duì)較高，另外這種封裝模式使其散熱問(wèn)題更加嚴(yán)重，直至目前這個(gè)問(wèn)題都難以解決。